SSD NVMe M.2 Samsung 9100 PRO Heatsink 2 To PCIe 5.0

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SSD NVMe M.2 Samsung 9100 PRO Heatsink 2 To PCIe 5.0

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Réf: MZ-VAP2T0CW

EAN: 8806095811666

Description

SSD NVMe M.2 Samsung 9100 PRO Heatsink 2 To PCIe 5.0 : jusqu'à 14 800 Mo/s en lecture et 13 400 Mo/s en écriture, idéal pour le gaming et la création vidéo.

Vitesse de pointe avec PCIe® 5.0 Poussez les performances PCIe® 5.0 à leur maximum. Le 9100 PRO atteint des vitesses séquentielles de lecture/écriture allant jusqu'à 14 800/13 400 Mo/s, soit deux fois plus rapide que la 990 PRO. Dépassez les limites de la Gen4 avec des vitesses aléatoires de lecture/écriture allant jusqu'à 2 200K/2 600K IOPS, possibles uniquement avec la Gen5. Plus de performance, moins d'attente – même avec des processus parallèles Repoussez les limites de votre productivité. Des vitesses aléatoires de lecture/écriture époustouflantes permettent un traitement parallèle rapide d'innombrables données fragmentées – jusqu'à 2 200K/2 600K IOPS. Découvrez des temps de sortie et de chargement instantanés pour les jeux vidéo, les tâches intensives et même les applications d'IA. Avec le PCIe 5.0, vous êtes prêt pour l'intelligence artificielle et une performance définie. Des possibilités pour le travail et les loisirs – avec un PC IA intégré et la génération de contenu IA.

Caractéristiques

Poids0.03 kg
MTBF1 500 000 heures
Poids31,8 g
FormatM.2 2280
NormesIEEE 1667
CouleurNoir
Hauteur8,89 mm
Largeur22,9 mm
Capacité2 To
InterfacePCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Profondeur81,3 mm
Logiciel inclusSamsung Magician
Type d'appareilDisque SSD interne
FonctionnalitésPrise en charge TRIM, algorithme Auto Garbage Collection, veille du périphérique, technologie Samsung V-NAND TLC, dissipateur thermique intégré, technologie Intelligent TurboWrite 2.0, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Performances SSD1200 To
Format compatibleM.2 2280
Service et supportGarantie limitée - 5 ans / 1200 ToW
Détails d'emballageBoîte suspendue
Hauteur de transport16,3 cm
Largeur de transport9,9 cm
Chiffrement matérielOui
Profondeur de transport2,29 cm
Consommation électrique8,1 W (lecture) / 7,9 W (écriture) / 4,8 W (inactif) / 4 mW (mode veille)
Algorithme de chiffrementAES 256 bits
Débit de données interne14 700 Mo/s (lecture) / 13 400 Mo/s (écriture)
Type de mémoire flash NANDTLC (Triple-Level Cell)
Lecture aléatoire max. 4 Ko1 850 000 IOPS
Écriture aléatoire max. 4 Ko2 600 000 IOPS
Dissipateur thermique intégréOui
Température de fonctionnement max.70 °C
Température de fonctionnement min.0 °C
Résistance aux chocs (hors fonctionnement)1500 g @ 0,5 ms onde sinusoïdale

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