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SAMSUNG 2GB DDR PC2100R 266MHz M312L5628BT0-CB0Q0 ECC REGISTERED
Occasion · Comme neuf

Samsung

SAMSUNG 2GB DDR PC2100R 266MHz M312L5628BT0-CB0Q0 ECC REGISTERED

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Réf: M312L5628BT0-CB0Q0

EAN: 5907038975544

Description

SAMSUNG 2GB DDR PC2100R 266MHz M312L5628BT0-CB0Q0 ECC REGISTERED

Caractéristiques

EAN5907038975544
Latence2,5
ModèleM312L5628BT0-CB0Q0
Garantie2 ans de garantie
FabricantSamsung
Tension (V)2,5
Type de RAMNon-ECC
Fréquence MHz266
Temps de cycle7,5 ns
RefroidissementNon
Capacité totale2 Go
Nombre de modules1
Vitesse du modulePC-2100
Type de connecteurDIMM
État de l'articleReconditionné
Capacité du module2 Go
Capacité des modules2 Go

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