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SAMSUNG 1GB DDR PC2100R 266MHz MT36VDDF12872G-265C3 ECC REGISTERED
Occasion · Comme neuf

Samsung

SAMSUNG 1GB DDR PC2100R 266MHz MT36VDDF12872G-265C3 ECC REGISTERED

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Réf: MT36VDDF12872G-265C3

EAN: 4060787011589

Description

SAMSUNG M312L2828ET0-CA2 1 Go DDR-266 MHz ECC Fabricant : SAMSUNG Type de mémoire : DDR SDRAM Réf. : M312L2828ET0-CA2 Débit de données : 266 MHz Capacité : 1 Go Broches : 184 broches Type de bus : PC-2100 Horloge mémoire : 133 MHz Tension : 2,5 V Correction d'erreurs : ECC

Caractéristiques

busPC-2100
débit266 MHz
broches184 broches
tension2,5 V
capacité1 Go
fabricantSAMSUNG
latence_CAS3
référenceM312L2828ET0-CA2
type_de_mémoireDDR SDRAM
correction_d'erreursECC

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