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SAMSUNG 1GB DDR PC2100R 266MHz M312L2828ET0-CB0 ECC REGISTERED
Occasion · Comme neuf

Samsung

SAMSUNG 1GB DDR PC2100R 266MHz M312L2828ET0-CB0 ECC REGISTERED

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Réf: M312L2828ET0-CB0

EAN: 5907038971331

Description

SAMSUNG 1GB DDR PC2100R 266MHz M312L2828ET0-CB0 ECC REGISTERED

Caractéristiques

EAN5907038971331
Latence2.5
ModèleM312L2828ET0-CB0
Garantie2 ans
FabricantSamsung
Tension (V)2.5
Type de RAMECC Registered
Fréquence MHz266
Temps de cycle7.5ns
RefroidissementNon
Capacité totale1 Go
Nombre de modules1
Vitesse du modulePC-2100
Type de connecteurDIMM
État de l'articleReconditionné
Capacité du module1 Go
Capacité des modules1 Go

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